继今年3月第三代半导体研究院正式启动后，深圳再次加码第三代半导体产业布局。8月3日，深圳坪山区经济和科技促进局牵头起草了《深圳市坪山区人民政府关于促进集成电路第三代半导体产业发展若干措施(征求意见稿)》，其中包括合作设立规模30亿元的集成电路基金等内容。继今年3月第三代半导体研究院正式启动后，深圳再次加码第三代半导体产业布局。8月3日，深圳坪山区经济和科技促进局牵头起草了《深圳市坪山区人民政府关于促进集成电路第三代半导体产业发展若干措施(征求意见稿)》(公示期为10个工作日，8月3日——8月17日)。
该第三代半导体产业发展若干措施(征求意见稿)主要包括产业资金支持、有效保障产业空间、大力引进和培育集成电路优质企业、建立集成电路多层次人才队伍、支持产业研发和核心技术攻关、完善集成电路产业链、其他扶持政策等内容。
下面我们就来看看这份第三代半导体产业发展若干措施(征求意见稿)中的重点内容。
一.产业资金支持
1.资金支持：利用现有区产业发展、科技创新等专项资金，每年统筹安排不少于5亿元资金专项支持集成电路产业发展;
2.产业基金：合作设立规模30亿元的集成电路基金;
3.信贷融资：对集成电路企业通过第三方融资担保机构获得的一年期以上的贷款融资，按企业支付给担保机构的融资担保费额(担保费率不得高于2%)，给予50%的资助，每家企业年度资助金额最高200万元，同一笔担保项目连续支持不超过3年。
二.有效保障产业空间
1.用地保障：加快5平方公里集成电路(第三代半导体)产业园区规划建设，优先保障集成电路企业用地;
2.用房支持：集成电路企业租赁创新型产业用房的资助额度为同片区、同档次产业用房市场评估价格的50%-90%，连续资助三年，每家企业每年资助最高600万元，且不超过企业上年度在坪山区纳税总额;
3.集成电路特色产业园：对于获得市级特色工业园资助资金资助的集成电路企业，按市级资助额度1:1给予配套资助。
三.大力引进和培育集成电路优质企业
1.吸引优质企业落户奖励：对新设立或新迁入的集成电路企业设计、设备和材料类企业，实缴资本超过2000万元的，按照企业实缴资本的10%给予资助，每家企业资助最高500万元;
对新设立或新迁入的集成电路企业制造、封测类企业，第一年或第一个会计年度实际完成工业投资5000万元以上(含)的，按照企业当年实际完成工业投资额10%给予资助，每家企业资助最高1000万元;
2.成功推荐引入优质集成电路企业落户坪山的，设计、设备和材料类企业且实缴资本超过2000万元的，按照企业实缴资本的1%，给予最高50万元的奖励;制造、封测类企业且其第一年或第一个完成会计年度工业投资额超过5000万元的，按照企业当年完成工业投资额1%，给予最高100万元奖励。
四.建立集成电路多层次人才队伍
1.引进人才：对于集成电路企业引进的人才，按行业高端、行业精英、中层骨干、专业技能等层次，分别给予总额为50万、30万、20万、10万元的资助，上述资助分3年发放;
2.留住人才：对企业年薪(税前，下同)15万元以上的研发人员、工程技术骨干人员及技术管理中层，按照其税前年薪最高25%，每年给予员工奖励支持，每人每年资助额度不超过个人所得税的缴纳总额。每家企业享受奖励的人员不超过企业符合上述条件人员总数的80%，且年度资助最高500万元;
3.培养人才：在校生参与企业集成电路工程实践，在签署合同并开展工程实践不少于6个月后，可按每位学生2000元/月的标准给予企业实践资助，单个企业每年资助不超过200万元;
对于企业家在辖区学校担任客座教授，或者辖区高校教师担任本辖区企业导师且共同开展项目的，按每位导师每年6万元标准给予资助。
五.支持产业研发和核心技术攻关
1.支持各类研发创新：支持企业与军工单位开展研发合作，对于承担军工科研项目的企业，在提供市资助证明后，按照市级资助额度1：1给予配套资助，最高不超过500万元;
支持企业通过新设或并购方式，在境外设立研发中心，吸收当地研发人才和研发资源，按市级资助额度1：1给予配套资助，最高不超过500万元;
2.支持核心技术和产品攻关：辖区企业开展集成电路高端通用器件、关键设备、核心材料、先进工艺等技术研发和产品攻关，按研发投入的50%，每家企业给予年度最高500万元的资助;
3.支持联合项目开发和应用：营业收入达1000万元以上的，给予企业按联合投入金额20%，给予最高600万的资助。
六.完善集成电路产业链
1.公共支撑服务平台：对企业建设的公共服务平台，按EDA、IP、测试验证设备等购置费用的50%，一次性给予最高1000万元的资助。对获得市级相关资助的，按实际额度1:1给予配套资助(以上两项资助政策不重复享受);
2.支持流片：对集成电路设计企业参加多项目晶圆(MPW)项目，最高给予MPW直接费用80%(高校或科研院所MPW直接费用的90%)的资助，每个企业全年资助总额最高200万元。利用本辖区企业开展多项目晶圆(MPW)的，按上述比例，每个企业年度资助最高400万元;
对集成电路设计企业首次工程流片进行资助，按首次工程流片费用的30%给予奖励，每个企业全年资助最高300万元。利用本辖区企业集成电路生产线流片的，按首次流片费用的60%给予奖励，每家全年资助最高600万元;
3.支持首购首用：对坪山区内整机企业首购首用本辖区集成电路设计企业自主开发的芯片，按照采购金额的50%，一次性给予最高500万元的资助;
集成电路企业首购首用本辖区集成电路自主研发生产的设备、材料，按照采购金额的50%，一次性给予最高1000万元的资助;
对企业获得国家首台(套)重大技术装备保险补偿资助的，给予50%的配套资助;
4.持行业协助组织
七.其他扶持政策
1.支持微组装：支持企业建立微组装(投资额1000万元以上)工艺生产线，在生产线建成并正式投产运作后，按照投资额10%，给予最高500万元的资助;
降低设备采购成本：对企业新增采购集成电路设备投入超过 1000 万元的，按实际投入的20%，给予总额不超过500万元的资助。该项资助与二十二条不重复使用;
其他其他扶持政策还包括生产性用电支持、洁净室装修支持、环保设施支持等。
第三代宽禁带半导体材料，可以被广泛应用在各个领域，且具备众多的优良性能，可突破第一、二代半导体材料的发展瓶颈，故被市场看好的同时，随着技术的发展有望全面取代第一、二代半导体材料。目前，美国、日本、欧洲在第三代半导体SiC、GaN、AlN等技术上拥有绝对的话语权。相比美、日，我国在第三半导体材料上的起步较晚，水平较低，但由于第三代半导体还有很大的发展空间，各国都处于发力阶段，因此被视作一次弯道超车的机会。
如今，江苏、浙江、厦门、江西等地也逐步开始成为国内具有较为完整产业链的第三代半导体产业特色集聚区。深圳正式推出“促进集成电路第三代半导体产业发展若干措施”后，必将扩大其第三代产业布局、加强产业链协同。
